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Sony und imec bringen gemeinsam ein hochdichtes Rückseitenverbindungsmodul auf den Markt, das die Integration von 3D-Chips der nächsten Generation unterstützt

Laut ausländischen Medienberichten haben das Forschungs- und Innovationszentrum für fortschrittliche Halbleitertechnologie imec und Sony Semiconductor Solutions Corporation (Sony) gemeinsam ein neuartiges Integrationsmodul für hochdichte rückseitige Verbindungen vorgestellt – eine Schlüsselkomponente für 3D-Stapelung und rückseitige Funktionalisierungstechnologien.

Sony und imec stellen gemeinsam hochdichtes rückseitiges Verbindungsmodul vor, das die nächste Generation der 3D-Chip-Integration unterstützt

Dieses Modul basiert auf einem selbstausrichtenden lokalen rückseitigen dielektrischen Isolationsprozess und ermöglicht niederohmige, leckstromarme und hochdichte Vorder-zu-Rückseite-Durchkontaktierungen (TSV) mit einem um das Dreifache vergrößerten Überlappungsfenster im Vergleich zu herkömmlichen TSV-Lösungen. Diese lokale BDI-TSV-Lösung ist ein Integrationsansatz, der völlig neue 3D-Integrationsmöglichkeiten für verschiedene Anwendungen, darunter Logik- und Speicherbauelemente, eröffnet.

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